眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用 產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)，隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn)，靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。如Ic制造商．近段時(shí)間致力于低電阻率銅布線的開(kāi)發(fā)， 預(yù)計(jì)未來(lái)幾年將大幅度取代原來(lái)的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開(kāi)發(fā)將刻不容緩。另外，近 年來(lái)平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場(chǎng)．亦將大幅增 加ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。此外在存儲(chǔ)技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持 續(xù)增加． 這些均導(dǎo)致應(yīng)用產(chǎn)業(yè)對(duì)靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域，以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢(shì)。 在儲(chǔ)存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的 T b F e C o合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造的磁光 盤具有存儲(chǔ)容量大，壽命長(zhǎng)，可反復(fù)無(wú)接觸擦寫的特 點(diǎn)。如今開(kāi)發(fā)出來(lái)的磁光盤，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 層復(fù)合膜結(jié)構(gòu)， T bF eCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr 旋轉(zhuǎn)角達(dá)到5 8，而T b F e Co f F a 則可以接近0.8。經(jīng)過(guò)研究發(fā)現(xiàn)， 低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓 l 抗電強(qiáng)度。

　　基于鍺銻碲化物的相變存儲(chǔ)器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場(chǎng)的一項(xiàng)替代性存儲(chǔ)器技術(shù)，不過(guò),在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲(chǔ)器的耗電量,延長(zhǎng)電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對(duì)于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來(lái)說(shuō)都是很重要的特征。（ 鋯粉廠家 ）